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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de transistor | NPN - Pre-Biased |
courant - collecteur (ic) (max) | 100 mA |
tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 40 V |
résistance - base (r1) | 4.7 kOhms |
résistance - base émettrice (r2) | - |
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 1mA, 5V |
saturation vce (max) à ib, ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
courant - coupure du collecteur (max) | 100nA (ICBO) |
fréquence - transition | 250 MHz |
puissance - max | 300 mW |
type de montage | Through Hole |
paquet / étui | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
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