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FQS4900TF

FQS4900TF

FQS4900TF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FQS4900TF Fiche de données

compliant

FQS4900TF Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.65803 -
36948 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V, 300V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.3A, 300mA
rds activé (max) à id, vgs 550mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max) à id 1.95V @ 20mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 2.1nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

FDMQ86530L
FDMQ86530L
$0 $/morceau
UM6K31NTN
UM6K31NTN
$0 $/morceau
DMG1016VQ-13
FDS8934A
IPG20N10S436AATMA1
IPG20N10S4L35ATMA1
DMP2004DWK-7
SH8K12TB1
SH8K12TB1
$0 $/morceau
FDMS7608S
FDMS7608S
$0 $/morceau

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