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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | N-Channel |
| technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tension drain-source (vdss) | 150 V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 48A (Ta) |
| tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) | - |
| rds activé (max) à id, vgs | 7mOhm @ 25A, 5V |
| vgs(th) (max) à id | 2.5V @ 9mA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 10 nC @ 5 V |
| vgs (max) | - |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1140 pF @ 75 V |
| fonctionnalité FET | - |
| puissance dissipée (max) | - |
| température de fonctionnement | - |
| type de montage | Surface Mount |
| package d'appareils du fournisseur | Die |
| paquet / étui | Die |
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