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BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V I2PAK

compliant

BUK9E1R9-40E,127 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
5048 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 120A (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur I2PAK
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

NTLUS3192PZTBG
NTLUS3192PZTBG
$0 $/morceau
FDWS86369-F085
FDWS86369-F085
$0 $/morceau
SI4835DDY-T1-GE3
PMN34LN,135
PMN34LN,135
$0 $/morceau
STI400N4F6
STI400N4F6
$0 $/morceau
SIHB24N65EF-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3
VP3203N3-G
VP3203N3-G
$0 $/morceau
SUM110N10-09-E3

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