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PSMN6R0-25YLD115

PSMN6R0-25YLD115

PSMN6R0-25YLD115

NXP USA Inc.

N-CHANNEL POWER MOSFET

non conforme

PSMN6R0-25YLD115 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
39000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET -
technologie -
Tension drain-source (vdss) -
courant - consommation continue (id) à 25°c -
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs -
vgs(th) (max) à id -
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) -
température de fonctionnement -
type de montage -
package d'appareils du fournisseur -
paquet / étui -
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Numéro de pièce associé

NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G
$0 $/morceau
SIHP20N50E-GE3
SIHP20N50E-GE3
$0 $/morceau
SI2300-TP
SI2300-TP
$0 $/morceau
SI7328DN-T1-E3
SI7328DN-T1-E3
$0 $/morceau
FDB045AN08A0
FDB045AN08A0
$0 $/morceau
SI6466DQ
BUK655R0-75C,127
BUK655R0-75C,127
$0 $/morceau
PHK18NQ03LT,518
RM25N30DN
RM25N30DN
$0 $/morceau
IXFK32N100X
IXFK32N100X
$0 $/morceau

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