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FDC6506P

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FDC6506P

onsemi

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6

FDC6506P Fiche de données

non conforme

FDC6506P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.24212 -
6,000 $0.22542 -
15,000 $0.21707 -
30,000 $0.21252 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.8A
rds activé (max) à id, vgs 170mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 3.5nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 190pF @ 15V
puissance - max 700mW
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
package d'appareils du fournisseur SuperSOT™-6
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Numéro de pièce associé

NTMFD4902NFT3G
NTMFD4902NFT3G
$0 $/morceau
SI3951DV-T1-GE3
DMP58D0SV-7
DMP58D0SV-7
$0 $/morceau
APTMC60TL11CT3AG
AO4821
IRF7380PBF
MMDF1N05ER2
MMDF1N05ER2
$0 $/morceau
FDG6303N-F169
FDG6303N-F169
$0 $/morceau
BSL207NL6327HTSA1

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