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FDMS86250

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onsemi

MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN

FDMS86250 Fiche de données

non conforme

FDMS86250 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $1.02465 -
6,000 $0.98670 -
6760 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 150 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.7A (Ta), 20A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 25mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2330 pF @ 75 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
paquet / étui 8-PowerTDFN
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Numéro de pièce associé

SQJA26EP-T1_GE3
PMCM4402UPEZ
PMCM4402UPEZ
$0 $/morceau
DMP3018SFK-13
BSP318SH6327XTSA1
ZXMN6A09GQTA
SPA15N65C3XKSA1
BUK6D210-60EX
BUK6D210-60EX
$0 $/morceau
NTMFS4C58NT1G
NTMFS4C58NT1G
$0 $/morceau
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4
$0 $/morceau

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