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MUN5312DW1T2G

MUN5312DW1T2G

MUN5312DW1T2G

onsemi

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

non conforme

MUN5312DW1T2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
9,000 $0.04511 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 22kOhms
résistance - base émettrice (r2) 22kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 60 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition -
puissance - max 385mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
package d'appareils du fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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Numéro de pièce associé

NHUMD12X
NHUMD12X
$0 $/morceau
NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G
$0 $/morceau
NSBC115EPDXV6T1G
NSBC115EPDXV6T1G
$0 $/morceau
NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
$0 $/morceau
EMD38T2R
EMD38T2R
$0 $/morceau
MUN5316DW1T1G
MUN5316DW1T1G
$0 $/morceau

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