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NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

NSBC115EPDXV6T1G

onsemi

SS SOT563 RSTR XSTR TR

non conforme

NSBC115EPDXV6T1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
8,000 $0.06990 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max) 100mA
tension - claquage collecteur-émetteur (max) 50V
résistance - base (r1) 100kOhms
résistance - base émettrice (r2) 100kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce 80 @ 5mA, 10V
saturation vce (max) à ib, ic 250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure du collecteur (max) 500nA
fréquence - transition -
puissance - max 357mW
type de montage Surface Mount
paquet / étui SOT-563, SOT-666
package d'appareils du fournisseur SOT-563
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Numéro de pièce associé

NSBC124EPDXV6T1G
NSBC124EPDXV6T1G
$0 $/morceau
EMD38T2R
EMD38T2R
$0 $/morceau
MUN5316DW1T1G
MUN5316DW1T1G
$0 $/morceau
PQMD10147
PQMD10147
$0 $/morceau
FMG9AT148
FMG9AT148
$0 $/morceau
IMD3AT108
IMD3AT108
$0 $/morceau

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