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NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G

onsemi

MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

non conforme

NTMFS0D8N03CT1G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $3.66000 $3.66
500 $3.6234 $1811.7
1000 $3.5868 $3586.8
1500 $3.5502 $5325.3
2000 $3.5136 $7027.2
2500 $3.477 $8692.5
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 54A (Ta), 337A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 0.74mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 200µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 7690 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 3.8W (Ta), 150W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / étui 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Numéro de pièce associé

FDW262P
FDW262P
$0 $/morceau
IXTH6N120
IXTH6N120
$0 $/morceau
IRL540A
IRL540A
$0 $/morceau
HUF76633P3-F085
BSZ060NE2LSATMA1
NVMFS6H801NT3G
NVMFS6H801NT3G
$0 $/morceau
HCT7000M
PMN70XPEAX
PMN70XPEAX
$0 $/morceau
PJL9410_R2_00001

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