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NVMD4N03R2G

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NVMD4N03R2G

onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

non conforme

NVMD4N03R2G Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.60260 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 4A
rds activé (max) à id, vgs 60mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 16nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 400pF @ 20V
puissance - max 2W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMN2016UTS-13
APTM50H14FT3G
DMN2008LFU-13
QS8J11TCR
QS8J11TCR
$0 $/morceau
SQJB48EP-T1_GE3
FDB3652SB82059
TC6320K6-G
TC6320K6-G
$0 $/morceau
ECH8653-S-TL-H
ECH8653-S-TL-H
$0 $/morceau
PMGD280UN,115
PMGD280UN,115
$0 $/morceau

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