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PJQ4446P_R2_00001

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PJQ4446P_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

non conforme

PJQ4446P_R2_00001 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.63000 $0.63
500 $0.6237 $311.85
1000 $0.6174 $617.4
1500 $0.6111 $916.65
2000 $0.6048 $1209.6
2500 $0.5985 $1496.25
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 40 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10.5A (Ta), 48A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 9mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1258 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2W (Ta), 41.7W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur DFN3333-8
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

FQP2N80
FQP2N80
$0 $/morceau
RF4L040ATTCR
RF4L040ATTCR
$0 $/morceau
BSC080N03LSGATMA1
IRLZ24PBF-BE3
IRLZ24PBF-BE3
$0 $/morceau
SIHFR430ATR-GE3
SI4421DY-T1-E3
SI4421DY-T1-E3
$0 $/morceau
IXTA62N15P-TRL
IXTA62N15P-TRL
$0 $/morceau
DMJ70H1D3SJ3
STP33N60DM6
STP33N60DM6
$0 $/morceau
IRF9540NPBF

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