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QS8J11TCR

QS8J11TCR

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MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

QS8J11TCR Fiche de données

non conforme

QS8J11TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.19220 -
1676 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 P-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate, 1.5V Drive
Tension drain-source (vdss) 12V
courant - consommation continue (id) à 25°c 3.5A
rds activé (max) à id, vgs 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 22nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2600pF @ 6V
puissance - max 550mW
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

SQJB48EP-T1_GE3
FDB3652SB82059
TC6320K6-G
TC6320K6-G
$0 $/morceau
ECH8653-S-TL-H
ECH8653-S-TL-H
$0 $/morceau
PMGD280UN,115
PMGD280UN,115
$0 $/morceau
DMP2004VK-7
DMP2004VK-7
$0 $/morceau
SI4963BDY-T1-E3
NVMFD5483NLWFT3G
NVMFD5483NLWFT3G
$0 $/morceau
EMH2314-TL-H
EMH2314-TL-H
$0 $/morceau

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