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QS8M13TCR

QS8M13TCR

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MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

QS8M13TCR Fiche de données

compliant

QS8M13TCR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.42000 -
1555 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A, 5A
rds activé (max) à id, vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5.5nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 390pF @ 10V
puissance - max 1.5W
température de fonctionnement 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SMD, Flat Lead
package d'appareils du fournisseur TSMT8
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Numéro de pièce associé

MCH6626-TL-E
MCH6626-TL-E
$0 $/morceau
FDMC8030
FDMC8030
$0 $/morceau
FDI9406
FDI9406
$0 $/morceau
DMN66D0LDWQ-13
IRF7324TRPBF
CSD86311W1723
CSD86311W1723
$0 $/morceau
PMCM650CUNEZ
PMCM650CUNEZ
$0 $/morceau
HUFA76407DK8T-F085
HUFA76407DK8T-F085
$0 $/morceau
DMN31D5UDA-7B
SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3
$0 $/morceau

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