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SI1067X-T1-GE3

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SI1067X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

non conforme

SI1067X-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.06A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 150mOhm @ 1.06A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 950mV @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9.3 nC @ 5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 375 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 236mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-89 (SOT-563F)
paquet / étui SOT-563, SOT-666
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Numéro de pièce associé

IRLR7821TRLPBF
FQD19N10TF
FQD19N10TF
$0 $/morceau
IPB80N08S406ATMA1
HUF76629D3ST_NL
DKI10526
DKI10526
$0 $/morceau
STFI34NM60N
STFI34NM60N
$0 $/morceau
SUM90N06-5M5P-E3
BTS282ZDELCO

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