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SI3469DV-T1-GE3

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SI3469DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP

non conforme

SI3469DV-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.50840 -
6,000 $0.48453 -
15,000 $0.46748 -
3000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 30mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.14W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 6-TSOP
paquet / étui SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Numéro de pièce associé

STF10NM60ND
STF10NM60ND
$0 $/morceau
HUF76121S3ST
IRFP460C
IRFSL4010PBF
DMN2080UCB4-7
IRFI820GPBF
IRFI820GPBF
$0 $/morceau
IXTA15N50L2
IXTA15N50L2
$0 $/morceau
NTY100N10G
NTY100N10G
$0 $/morceau
IXFN94N50P2
IXFN94N50P2
$0 $/morceau

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