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SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

non conforme

SI4816BDY-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.84005 -
5,000 $0.81090 -
12,500 $0.79500 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 5.8A, 8.2A
rds activé (max) à id, vgs 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1W, 1.25W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMN3401LDWQ-7
NX3020NAKS,115
ALD310708SCL
ALD110914PAL
UT6K3TCR
UT6K3TCR
$0 $/morceau
LM5100CMY
SFS9630YDTU
FDW2506P
BUK9K6R2-40E,115

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