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SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

non conforme

SI7872DP-T1-GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6.4A
rds activé (max) à id, vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds -
puissance - max 1.4W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

AO4812L
AO6808_101
SI4622DY-T1-E3
SI4622DY-T1-E3
$0 $/morceau
SI5980DU-T1-GE3
SIB911DK-T1-GE3
SH8M13GZETB
SH8M13GZETB
$0 $/morceau
FDG6301N_D87Z
FDG6301N_D87Z
$0 $/morceau
IRF7754GTRPBF
SI4388DY-T1-E3
SI4388DY-T1-E3
$0 $/morceau
BSL205NH6327XTSA1

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