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SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL

non conforme

SQJ500AEP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.62976 -
6,000 $0.60019 -
15,000 $0.57907 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N and P-Channel
fonctionnalité FET -
Tension drain-source (vdss) 40V
courant - consommation continue (id) à 25°c 30A (Tc)
rds activé (max) à id, vgs 27mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 38.1nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1850pF @ 20V
puissance - max 48W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

IPG20N06S2L35ATMA1
EM6M2T2R
EM6M2T2R
$0 $/morceau
DMC4028SSD-13
DMN3190LDW-13
PJQ4602_R1_00001
SQJ946EP-T1_GE3
ALD310704APCL
ALD110900APAL
SH8K26GZ0TB
SH8K26GZ0TB
$0 $/morceau
SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3
$0 $/morceau

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