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SQJ992EP-T1_GE3

SQJ992EP-T1_GE3

SQJ992EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 15A POWERPAKSO8

non conforme

SQJ992EP-T1_GE3 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.59778 -
6,000 $0.56971 -
15,000 $0.54967 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 15A
rds activé (max) à id, vgs 56.2mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 12nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 446pF @ 30V
puissance - max 34W
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui PowerPAK® SO-8 Dual
package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
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Numéro de pièce associé

DMN2024UTS-13
SQ1912AEEH-T1_GE3
DMG6898LSDQ-13
MCQ4953-TP
MCQ4953-TP
$0 $/morceau
FDMD8260LET60
FDMD8260LET60
$0 $/morceau
DMC2991UDJ-7
NTQD6968R2
NTQD6968R2
$0 $/morceau
ALD110908ASAL
ZXMHC10A07N8TC
CSD87330Q3D
CSD87330Q3D
$0 $/morceau

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