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WNSC101200CWQ

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WNSC101200CWQ

SILICON CARBIDE POWER DIODE

non conforme

WNSC101200CWQ Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $6.65888 $6.65888
500 $6.5922912 $3296.1456
1000 $6.5257024 $6525.7024
1500 $6.4591136 $9688.6704
2000 $6.3925248 $12785.0496
2500 $6.325936 $15814.84
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de diode Silicon Carbide Schottky
tension - courant continu inverse (vr) (max) 1200 V
courant - moyen redressé (io) 10A
tension - directe (vf) (max) @ if 1.6 V @ 5 A
vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
temps de récupération inverse (trr) 0 ns
courant - fuite inverse @ vr 50 µA @ 1200 V
capacité à vr, f 250pF @ 1V, 1MHz
type de montage Through Hole
paquet / étui TO-247-3
package d'appareils du fournisseur TO-247-3
température de fonctionnement - jonction 175°C (Max)
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Numéro de pièce associé

RL103GP-TP
RL103GP-TP
$0 $/morceau
1N2283R
1N2283R
$0 $/morceau
JAN1N1616R
JAN1N1616R
$0 $/morceau
MBR8080R
MBR8080R
$0 $/morceau
R2560
R2560
$0 $/morceau
CD6857
CD6857
$0 $/morceau
1N5807URS
1N5807URS
$0 $/morceau
LSM315G/TR13
CDLL5819/TR

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