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AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

AS4C32M16D1-5BINTR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA

SOT-23

non conforme

AS4C32M16D1-5BINTR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $3.73527 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de mémoire Volatile
format de mémoire DRAM
technologie SDRAM - DDR
taille de la mémoire 512Mb (32M x 16)
interface mémoire Parallel
fréquence d'horloge 200 MHz
durée du cycle d'écriture - mot, page 15ns
temps d'accès 700 ps
tension - alimentation 2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 60-TFBGA
package d'appareils du fournisseur 60-TFBGA (8x13)
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Numéro de pièce associé

24LC128-E/P
AT34C02C-THDD-T
AT34C02C-THDD-T
$0 $/morceau
CY7C0251-15AXC
AS4C64M8D2-25BAN
CY14E116N-Z30XIT
AS4C4M16SA-6TCNTR
AS4C8M16SA-6TANTR
NV24C16MUW3VLTBG
NV24C16MUW3VLTBG
$0 $/morceau
MT58L64L32FT-10TR

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