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AS4C8M16D1-5BINTR

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IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

non conforme

AS4C8M16D1-5BINTR Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $2.28690 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de mémoire Volatile
format de mémoire DRAM
technologie SDRAM - DDR
taille de la mémoire 128Mb (8M x 16)
interface mémoire Parallel
fréquence d'horloge 200 MHz
durée du cycle d'écriture - mot, page 15ns
temps d'accès 700 ps
tension - alimentation 2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 60-TFBGA
package d'appareils du fournisseur 60-TFBGA (8x13)
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Numéro de pièce associé

S29GL512T13TFNV10
CY7C1312CV18-167BZI
GS881Z36CGD-333I
W632GU6NB-11
S29GL064S80TFIV10
SST25VF010A-33-4C-QAE
CY7C1049GN-10VXI
CY15E016J-SXAT

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