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AO3460L

AO3460L

AO3460L

MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23

AO3460L Fiche de données

non conforme

AO3460L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 650mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.7Ohm @ 650mA, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 27 pF @ 30 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.4W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SOT-23-3
paquet / étui 3-SMD, SOT-23-3 Variant
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Numéro de pièce associé

HUF76129S3ST
FDB12N50UTM_WS
FDB12N50UTM_WS
$0 $/morceau
FQP90N10V2
FQP90N10V2
$0 $/morceau
NTF5P03T3
NTF5P03T3
$0 $/morceau
2SK3746-1E
2SK3746-1E
$0 $/morceau
IXTP6N50P
IXTP6N50P
$0 $/morceau
ZVP3310ASTZ
ZVP3310ASTZ
$0 $/morceau
IXFE44N60
IXFE44N60
$0 $/morceau
NVMFS5C456NLT3G
NVMFS5C456NLT3G
$0 $/morceau
IRL3103D1STRLP

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