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Nom | Valeur |
---|---|
statut du produit | Obsolete |
type de FET | N and P-Channel |
fonctionnalité FET | Standard |
Tension drain-source (vdss) | 30V |
courant - consommation continue (id) à 25°c | 8.1A (Ta), 7.1A (Ta) |
rds activé (max) à id, vgs | 20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V |
vgs(th) (max) à id | 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA |
charge de porte (qg) (max) @ vgs | 19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V |
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V |
puissance - max | 2W |
température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
type de montage | Surface Mount |
paquet / étui | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
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