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AOD2N60

AOD2N60

AOD2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO252

AOD2N60 Fiche de données

compliant

AOD2N60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.25920 -
5,000 $0.24480 -
12,500 $0.23760 -
5181 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 2A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 325 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 56.8W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252 (DPAK)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

STF10N95K5
STF10N95K5
$0 $/morceau
STB10NK60ZT4
STB10NK60ZT4
$0 $/morceau
DMP3098L-7
DMP3098L-7
$0 $/morceau
DMP213DUFA-7B
RRQ030P03TR
RRQ030P03TR
$0 $/morceau
PHD20N06T,118
PHD20N06T,118
$0 $/morceau
SQ3469EV-T1_BE3
RJ1L08CGNTLL
RJ1L08CGNTLL
$0 $/morceau
FDP036N10A
FDP036N10A
$0 $/morceau
RM1A4N150S6
RM1A4N150S6
$0 $/morceau

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