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AOD7N60

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MOSFET N-CH 600V 7A TO252

AOD7N60 Fiche de données

compliant

AOD7N60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.44550 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1170 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 178W (Tc)
température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-252 (DPAK)
paquet / étui TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Numéro de pièce associé

DMN10H220LVT-13
IPL65R340CFDAUMA1
IPB60R360P7ATMA1
DMPH4025SFVWQ-7
RSH070N05TB1
RSH070N05TB1
$0 $/morceau
IXTA120N075T2
IXTA120N075T2
$0 $/morceau
IXTP32N65XM
IXTP32N65XM
$0 $/morceau
DMN2025UFDF-13
IPB036N12N3GATMA1
AOB282L

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