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AONR21321

AONR21321

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MOSFET P-CH 30V 24A 8DFN

AONR21321 Fiche de données

non conforme

AONR21321 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
5,000 $0.14940 -
10,000 $0.14110 -
25,000 $0.13695 -
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 24A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 16.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1180 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-DFN-EP (3x3)
paquet / étui 8-PowerVDFN
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Numéro de pièce associé

STL58N3LLH5
STL58N3LLH5
$0 $/morceau
SI3458BDV-T1-GE3
SIRC10DP-T1-GE3
AON7407
FQU20N06LTU
FQU20N06LTU
$0 $/morceau
PJL9412_R2_00001
BTS112AE3045ANTMA1
IRFF232
IRFF232
$0 $/morceau
HUFA75344G3

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