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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Active |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| fonctionnalité FET | Standard |
| Tension drain-source (vdss) | 25V |
| courant - consommation continue (id) à 25°c | 25A (Ta), 62A (Tc), 50A (Ta), 85A (Tc) |
| rds activé (max) à id, vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 0.8mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (max) à id | 1.9V @ 250µA, 1.8V @ 250µA |
| charge de porte (qg) (max) @ vgs | 24nC @ 10V, 85nC @ 10V |
| capacité d'entrée (ciss) (max) à vds | 1.15nF @ 12.5V, 4.52nF @ 12.5V |
| puissance - max | 3.1W (Ta), 20W (Tc), 3.2W (Ta), 69W (Tc) |
| température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| type de montage | Surface Mount |
| paquet / étui | 8-VDFN Exposed Pad |
| package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
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