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AOSD62666E

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MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC

compliant

AOSD62666E Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.45870 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Logic Level Gate
Tension drain-source (vdss) 60V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9.5A (Ta)
rds activé (max) à id, vgs 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 755pF @ 30V
puissance - max 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
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Numéro de pièce associé

DMC2710UDW-7
IRF8915TRPBF
FDY1002PZ
FDY1002PZ
$0 $/morceau
SI7234DP-T1-GE3
ALD1102PAL
NTJD4152PT2G
NTJD4152PT2G
$0 $/morceau
PJL9850_R2_00001
2N7002DW
2N7002DW
$0 $/morceau
APTM100A13SG
BUK9K25-40RAX
BUK9K25-40RAX
$0 $/morceau

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