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AOSP21311C

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AOSP21311C

MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC

compliant

AOSP21311C Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.25041 $0.25041
500 $0.2479059 $123.95295
1000 $0.2454018 $245.4018
1500 $0.2428977 $364.34655
2000 $0.2403936 $480.7872
2500 $0.2378895 $594.72375
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 6A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 42mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.2V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 720 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

STS14N3LLH5
STS14N3LLH5
$0 $/morceau
NTR4501NT1G
NTR4501NT1G
$0 $/morceau
PJQ5424_R2_00001
IRFS7434TRLPBF
VP2110K1-G
VP2110K1-G
$0 $/morceau
HUF75617D3
AONR21357
IRF9Z34NPBF
SI4776DY-T1-GE3
APT10M11JVRU3

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