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AOT11C60L

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MOSFET N-CH 600V 11A TO220

AOT11C60L Fiche de données

non conforme

AOT11C60L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 400mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2000 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 278W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IRLMS5703TR
AON7412
IRLR3714
IRLR3714
$0 $/morceau
IRFM220BTF_FP001
IRFM220BTF_FP001
$0 $/morceau
IRFL214
IRFL214
$0 $/morceau
FQD16N15TF
FQD16N15TF
$0 $/morceau
AOB412L
IXFN24N90Q
IXFN24N90Q
$0 $/morceau
IPI90R500C3XKSA1
BSS209PW L6327

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