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AOTF10T60

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MOSFET N-CH 600V 10A TO220-3F

AOTF10T60 Fiche de données

non conforme

AOTF10T60 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 10A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 700mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) à id 5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1346 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 43W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/morceau
IRL3502SPBF
MTM231230L
SI1056X-T1-E3
SI1056X-T1-E3
$0 $/morceau
IXTR30N25
IXTR30N25
$0 $/morceau
SI7718DN-T1-GE3
IRFR3711TRRPBF
IRFIBF30G
IRFIBF30G
$0 $/morceau
STW75NF30
STW75NF30
$0 $/morceau
BUK9509-55A,127
BUK9509-55A,127
$0 $/morceau

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