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AOW7S65

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MOSFET N-CH 650V 7A TO262

AOW7S65 Fiche de données

compliant

AOW7S65 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1,000 $1.07440 -
Inventory changes frequently.
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Not For New Designs
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 650 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 7A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 650mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 9.2 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 434 pF @ 100 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 104W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-262
paquet / étui TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Numéro de pièce associé

DMN2005K-7
DMN2005K-7
$0 $/morceau
PMZ320UPEYL
PMZ320UPEYL
$0 $/morceau
FQA6N70
FQA6N70
$0 $/morceau
FDC604P
FDC604P
$0 $/morceau
SQJ469EP-T1_GE3
AUIRLL024NTR
NTMSD2P102LR2G
NTMSD2P102LR2G
$0 $/morceau
IXFK400N15X3
IXFK400N15X3
$0 $/morceau
DMP3011SSS-13

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