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| Nom | Valeur |
|---|---|
| statut du produit | Obsolete |
| distance de détection | 0.106" (2.7mm) |
| méthode de détection | Through-Beam |
| configuration de sortie | Phototransistor |
| courant - courant continu direct (si) (max) | 50 mA |
| courant - collecteur (ic) (max) | 10 mA |
| tension - claquage collecteur-émetteur (max) | 30 V |
| temps de réponse | 15µs, 15µs |
| température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
| type de montage | Through Hole |
| paquet / étui | 4-DIP Module |
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