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Nom | Valeur |
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statut du produit | Obsolete |
type de transistor | E-pHEMT |
fréquence | 2GHz |
gagner | 20dB |
tension - test | 4 V |
courant nominal (ampères) | 300mA |
facteur de bruit | 0.6dB |
courant - test | 135 mA |
puissance - rendement | 24.5dBm |
tension - nominale | 7 V |
paquet / étui | 8-WFDFN Exposed Pad |
package d'appareils du fournisseur | 8-LPCC (2x2) |
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