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FCPF190N60E-F152

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FCPF190N60E - POWER MOSFET N-CHA

compliant

FCPF190N60E-F152 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.35199 $1.35199
500 $1.3384701 $669.23505
1000 $1.3249502 $1324.9502
1500 $1.3114303 $1967.14545
2000 $1.2979104 $2595.8208
2500 $1.2843905 $3210.97625
44000 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 600 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 20.6A (Tj)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 10V
rds activé (max) à id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) à id 3.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 3175 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 39W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220F
paquet / étui TO-220-3 Full Pack
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Numéro de pièce associé

PC3M0060065L
PC3M0060065L
$0 $/morceau
IPW65R110CFD7XKSA1
2SJ302-Z-AZ
NTC020N120SC1
NTC020N120SC1
$0 $/morceau
FDS6673BZ-G
FDS6673BZ-G
$0 $/morceau
FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU
$0 $/morceau
DMP3021SFVW-13
IRF841
IRF841
$0 $/morceau
SPP03N60S5XKSA1
DMT10H009LCG-7

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