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FDB6030L

FDB6030L

FDB6030L

MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB

FDB6030L Fiche de données

compliant

FDB6030L Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.49000 $0.49
500 $0.4851 $242.55
1000 $0.4802 $480.2
1500 $0.4753 $712.95
2000 $0.4704 $940.8
2500 $0.4655 $1163.75
22487 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 48A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 13mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1250 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 52W (Tc)
température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

BSZ040N06LS5ATMA1
FDC638P
FDC638P
$0 $/morceau
IPU06N03LZG
STF7N80K5
STF7N80K5
$0 $/morceau
BSR92PH6327XTSA1
DIT150N03
DIT150N03
$0 $/morceau
SI2305-TP
SI2305-TP
$0 $/morceau
RSE002P03TL
RSE002P03TL
$0 $/morceau
IPB120N03S4L03ATMA1
PSMN1R1-40BS,118

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