Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FDB6670S

FDB6670S

FDB6670S

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDB6670S Fiche de données

compliant

FDB6670S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $2.49000 $2.49
500 $2.4651 $1232.55
1000 $2.4402 $2440.2
1500 $2.4153 $3622.95
2000 $2.3904 $4780.8
2500 $2.3655 $5913.75
19090 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 62A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm@ 31A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2639 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 62.5W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AB
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

PXN017-30QLJ
PXN017-30QLJ
$0 $/morceau
APT6025BLLG
IPC100N04S52R8ATMA1
PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX
$0 $/morceau
IPI90R1K2C3XKSA1
EPC2302
EPC2302
$0 $/morceau
SQD45P03-12_GE3
DMP2066LSS-13
IRFP150
IRFP150
$0 $/morceau

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.