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FDB6690S

FDB6690S

FDB6690S

MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB

FDB6690S Fiche de données

compliant

FDB6690S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
2824 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 42A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1238 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 48W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

AUIRLR3410TR
IXTH460P2
IXTH460P2
$0 $/morceau
FDT86256
FDT86256
$0 $/morceau
SI3139K-TP
SI3139K-TP
$0 $/morceau
PMCM6501VPEZ
PMCM6501VPEZ
$0 $/morceau
IXTT36N50P
IXTT36N50P
$0 $/morceau
STB14NK60ZT4
STB14NK60ZT4
$0 $/morceau
DMP2008USS-13
MCH3376-TL-E
MCH3376-TL-E
$0 $/morceau
NTP35N15G
NTP35N15G
$0 $/morceau

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