Welcome to ichome.com!

logo
Maison

FDB8870-F085

FDB8870-F085

FDB8870-F085

MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK

non conforme

FDB8870-F085 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
5600 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 23A (Ta), 160A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) -
rds activé (max) à id, vgs 3.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5200 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 160W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Le chargement du PDF a échoué, vous pouvez essayer de l'ouvrir dans une nouvelle fenêtre pour y accéder [Ouvrir], ou cliquez pour revenir

Numéro de pièce associé

IPP60R120C7XKSA1
RQ5P010SNTL
RQ5P010SNTL
$0 $/morceau
RM21N700T2
RM21N700T2
$0 $/morceau
FDB070AN06A0-F085
FDB070AN06A0-F085
$0 $/morceau
SI4866DY-T1-GE3
FDMS8690
SIHP35N60E-BE3
SIHP35N60E-BE3
$0 $/morceau
AUIRF3205Z
SI9407BDY-T1-GE3
SI7868ADP-T1-E3

Votre partenaire fiable en électronique

Dédié à dépasser vos attentes. IChome : le service client redéfini pour l'industrie électronique.