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FDB8876

FDB8876

FDB8876

MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB

FDB8876 Fiche de données

compliant

FDB8876 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
7486 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 71A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 8.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1700 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 70W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur D2PAK (TO-263)
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1
$0 $/morceau
RS1G150MNTB
RS1G150MNTB
$0 $/morceau
STD16NF06LT4
STD16NF06LT4
$0 $/morceau
IRF40DM229
FQU2N80TU
MMSF3P02HDR2G
MMSF3P02HDR2G
$0 $/morceau
NTD110N02RG
NTD110N02RG
$0 $/morceau
SQJQ466E-T1_GE3

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