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FDB8880

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11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,

FDB8880 Fiche de données

compliant

FDB8880 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
1356 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 11A (Ta), 54A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 11.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1240 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 55W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur TO-263AB
paquet / étui TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Numéro de pièce associé

NTE490
NTE490
$0 $/morceau
RM11N800T2
RM11N800T2
$0 $/morceau
IPB026N06NATMA1
SPD04P10PLGBTMA1
FQPF18N20V2YDTU
IXTA160N10T
IXTA160N10T
$0 $/morceau
P3M12040G7
NVH4L080N120SC1
NVH4L080N120SC1
$0 $/morceau
SIHD240N60E-GE3

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