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FDG312P

FDG312P

FDG312P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

FDG312P Fiche de données

compliant

FDG312P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.15686 -
6,000 $0.14674 -
15,000 $0.13662 -
30,000 $0.12954 -
75,000 $0.12880 -
214687 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 20 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 1.2A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 2.5V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 330 pF @ 10 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 750mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

R6011KNXC7G
R6011KNXC7G
$0 $/morceau
IPB65R110CFDATMA2
AON7262E
STB80N20M5
STB80N20M5
$0 $/morceau
FDMA8051L
FDMA8051L
$0 $/morceau
SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
$0 $/morceau
NTR4003NT1G
NTR4003NT1G
$0 $/morceau
SI4435DY
SI4435DY
$0 $/morceau
FQT13N06LTF
FQT13N06LTF
$0 $/morceau
FDS8882
FDS8882
$0 $/morceau

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