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FDG361N

FDG361N

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MOSFET N-CH 100V 600MA SC88

FDG361N Fiche de données

compliant

FDG361N Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
102013 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 100 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 600mA (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 500mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 153 pF @ 50 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 420mW (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur SC-88 (SC-70-6)
paquet / étui 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Numéro de pièce associé

SPA07N60C2
IPB65R045C7ATMA2
SQ4050EY-T1_GE3
IXTK180N15P
IXTK180N15P
$0 $/morceau
IAUC41N06S5L100ATMA1
BSS138TA
BSS138TA
$0 $/morceau
FDC642P
FDC642P
$0 $/morceau
IPD90N03S4L03ATMA1
ISL9N322AP3
FDPF8N50NZF

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