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FDMD8900

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

FDMD8900 Fiche de données

compliant

FDMD8900 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
3,000 $0.96852 -
15710 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET 2 N-Channel (Dual)
fonctionnalité FET Standard
Tension drain-source (vdss) 30V
courant - consommation continue (id) à 25°c 19A, 17A
rds activé (max) à id, vgs 4mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (max) à id 2.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 35nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 2605pF @ 15V
puissance - max 2.1W
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
paquet / étui 12-PowerWDFN
package d'appareils du fournisseur 12-Power3.3x5
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Numéro de pièce associé

VEC2415-TL-W-Z
VEC2415-TL-W-Z
$0 $/morceau
RF1S630
RF1S630
$0 $/morceau
G33N03D3
G33N03D3
$0 $/morceau
FSS275-TL-E-SA
FSS275-TL-E-SA
$0 $/morceau
2SJ634-E
2SJ634-E
$0 $/morceau
DMC2990UDJQ-7
MSCSM120AM31CTBL1NG
IXTL2X180N10T
IXTL2X180N10T
$0 $/morceau
DMN3032LFDBWQ-7
MSCSM170TAM15CTPAG

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