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FDP5690

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MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3

SOT-23

FDP5690 Fiche de données

non conforme

FDP5690 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.41000 $1.41
500 $1.3959 $697.95
1000 $1.3818 $1381.8
1500 $1.3677 $2051.55
2000 $1.3536 $2707.2
2500 $1.3395 $3348.75
5075 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 60 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 32A (Tc)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 6V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 27mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) à id 4V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1120 pF @ 25 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 58W (Tc)
température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

STK22N6F3
STK22N6F3
$0 $/morceau
IXTL2N450
IXTL2N450
$0 $/morceau
2N7002LT7G
2N7002LT7G
$0 $/morceau
SI8800EDB-T2-E1
2N7002,215
2N7002,215
$0 $/morceau
IXFH30N60P
IXFH30N60P
$0 $/morceau
IPBE65R075CFD7AATMA1
AUIRFS4010-7TRL
NTGS3443T1G
NTGS3443T1G
$0 $/morceau

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