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FDP6676S

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FDP6676S

N-CHANNEL POWER MOSFET

FDP6676S Fiche de données

compliant

FDP6676S Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $0.90000 $0.9
500 $0.891 $445.5
1000 $0.882 $882
1500 $0.873 $1309.5
2000 $0.864 $1728
2500 $0.855 $2137.5
1485 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Active
type de FET N-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 76A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 6.5mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 1mA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 56 nC @ 5 V
vgs (max) ±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 4853 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 70W (Tc)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Through Hole
package d'appareils du fournisseur TO-220-3
paquet / étui TO-220-3
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Numéro de pièce associé

IXTR140P10T
IXTR140P10T
$0 $/morceau
BSO033N03MSGXUMA1
RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1
$0 $/morceau
STP22NM60N
STP22NM60N
$0 $/morceau
FK6K02010L
CSD17308Q3T
CSD17308Q3T
$0 $/morceau
FDD86110
FDD86110
$0 $/morceau
IXFK26N100P
IXFK26N100P
$0 $/morceau
PSMN9R5-100BS,118
STF21N65M5
STF21N65M5
$0 $/morceau

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