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FDS6685

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MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

FDS6685 Fiche de données

compliant

FDS6685 Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
2,500 $0.61614 -
21331 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 30 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 8.8A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 4.5V, 10V
rds activé (max) à id, vgs 20mOhm @ 8.8A, 10V
vgs(th) (max) à id 3V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 24 nC @ 5 V
vgs (max) ±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 1604 pF @ 15 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 2.5W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
paquet / étui 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Numéro de pièce associé

STP13N60DM2
STP13N60DM2
$0 $/morceau
IRFH3702TRPBF
IRFH7787TRPBF
SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3
$0 $/morceau
FQPF46N15
FQB1P50TM
FQB1P50TM
$0 $/morceau
APTM20DAM05G
IPB80P04P405ATMA2
NTB6N60
NTB6N60
$0 $/morceau
IPP023NE7N3GXKSA1

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