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FDW258P

FDW258P

FDW258P

MOSFET P-CH 12V 9A 8TSSOP

FDW258P Fiche de données

compliant

FDW258P Tarifs et commandes

Quantité Prix ​​unitaire Prix ​​ext.
1 $1.36000 $1.36
500 $1.3464 $673.2
1000 $1.3328 $1332.8
1500 $1.3192 $1978.8
2000 $1.3056 $2611.2
2500 $1.292 $3230
92624 items
Réduction des coûts de nomenclature
Réduction des coûts de nomenclature
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Prix ​​de gros pour chaque commande, grande ou petite
Nom Valeur
statut du produit Obsolete
type de FET P-Channel
technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (vdss) 12 V
courant - consommation continue (id) à 25°c 9A (Ta)
tension de commande (rds max. activé, rds min. activé) 1.8V, 4.5V
rds activé (max) à id, vgs 11mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (max) à id 1.5V @ 250µA
charge de porte (qg) (max) @ vgs 73 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
capacité d'entrée (ciss) (max) à vds 5049 pF @ 5 V
fonctionnalité FET -
puissance dissipée (max) 1.3W (Ta)
température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
type de montage Surface Mount
package d'appareils du fournisseur 8-TSSOP
paquet / étui 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Numéro de pièce associé

BUK7M6R3-40EX
BUK7M6R3-40EX
$0 $/morceau
IRF6716MTRPBF
R6006JNJGTL
R6006JNJGTL
$0 $/morceau
ZVN0545ASTZ
ZVN0545ASTZ
$0 $/morceau
STD2N62K3
STD2N62K3
$0 $/morceau
SMBF1026LT1G
SMBF1026LT1G
$0 $/morceau
SUP60020E-GE3
SUP60020E-GE3
$0 $/morceau
IPP60R190E6XKSA1
APT43F60L
APT43F60L
$0 $/morceau

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